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大手総合電機メーカーグループの半導体製造会社にて、CMOSイメージセンサー製造における、露光・現像工程のプロセスエンジニアを担当いただきます。

露光・現像プロセス開発は、半導体デバイスの回路パターンを形成するプロセスです。

露光プロセスでは、ウェーハに光を照射して、フォトレジスト膜にパターンを転写します。現像プロセスでは、光を当てていない部分のフォトレジスト膜を除去することで、半導体デバイスの回路パターンが完成します。

露光・現像プロセス開発では、以下の点について検討します。
・使用する光源
・露光レンズ
・フォトレジスト
・露光条件
・現像条件

露光・現像プロセス開発では、これらの点を最適化することで、半導体デバイスの回路パターンを精密に形成し、性能を向上させることができます。

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大手総合電機メーカーグループの半導体製造会社にて、CMOSイメージセンサー製造における、レジスト剥離・洗浄工程のプロセスエンジニアを担当いただきます。

レジスト剥離・洗浄プロセス開発とは、半導体ウェーハに形成されたレジストを除去し、ウェーハを洗浄するプロセスの開発です。

レジスト剥離プロセスでは、レジストを溶解したり、剥離したりする薬剤を使用してレジストを除去します。
洗浄プロセスでは、ウェーハに残ったレジストの残渣や不純物を除去します。

具体的には、
・レジスト剥離薬剤の選択
・レジスト剥離条件の設定
・洗浄液の選択
・洗浄条件の設定
・洗浄プロセスの評価などを行いウェーハを適切に洗浄

レジスト剥離・洗浄プロセス開発では、以下の点に注意して業務を遂行します。
・レジスト剥離・洗浄プロセスの選択は、半導体ウェーハに使用されているレジスト、ウェーハの表面状態、半導体デバイスの要求仕様などによって異なります。
・半導体ウェーハに損傷を与えないように注意して行う必要があります。
・ウェーハを適切に洗浄し、残渣や不純物が残らないように注意して行う必要があります。

仕事内容: 
大手総合電機メーカーグループの半導体製造会社にて、CMOSイメージセンサー製造における、ウェハエッチング工程のプロセスエンジニアを担当いただきます。

エッチング工程プロセス開発は、半導体ウェーハに必要なパターンを形成するために、エッチング装置を使用してウェーハの表面から材料を除去するプロセスの開発です。

エッチングプロセスには、ウェットエッチングとドライエッチングの2種類があります
ウェットエッチングは、化学薬品を使用してウェーハの表面から材料を除去するプロセスです。ドライエッチングは、プラズマを使用してウェーハの表面から材料を除去するプロセスです。

具体的には、下記業務を担当いただきます。
・エッチング装置の選択
・エッチングガスの選択
・エッチング条件の設定、エッチングプロセスの評価
・ウェーハの表面に必要なパターンを形成

使用するエッチング装置の構成要素は以下の通りです。
この構成はプラズマを使用して処理を行う半導体製造装置にほぼ共通しています。

・プロセスチャンバー：ウエハーを入れて実際にプロセスを行うチャンバーです。内部が真空になっています。
・真空システム：プロセスチャンバーから空気を抜き、真空にするための装置や配管です。真空ポンプや真空配管、弁などが含まれます。
・高周波電源：プロセスチャンバー内の反応ガスにエネルギーを与え、低温プラズマを発生させるために高周波の電波を使用します。高周波の周波数は反応ガスがエネルギーを吸収しやすい周波数に調整されています。
・ガス供給系：反応ガスを供給するボンベや配管です。
・機構部：真空チャンバー内にウエハーを投入するロボットなどです。
・制御系：安全監視システムや装置全体を制御するシステムです。

エッチング工程プロセス開発は、半導体製造プロセスの重要な工程の一つであり、半導体デバイスの性能を左右する重要な役割を果たしています。

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大手総合電機メーカーグループの半導体製造会社にて、電極成形のプロセス開発を担当いただきます。

電極成形プロセス開発とは、半導体デバイスに電流を流すための電極を成形するプロセス開発です。

電極成形プロセスには、蒸着、スパッタリング、電気めっきなどの方法があります。
蒸着：半導体ウェーハの表面に金属を蒸着させて電極を成形する方法
スパッタリング：金属のターゲットを高エネルギーのイオンで照射し、金属原子を半導体ウェーハの表面に飛ばして電極を成形する方法
電気めっき：電気的な方法で金属を半導体ウェーハの表面に析出させて電極を成形する方法

電極成形プロセス開発では、電極の材料の選択、電極の形状の設計、電極の成形条件の設定、電極の評価などを行い、半導体デバイスに適切な電極を成形します。

電極成形プロセス開発では、以下の点に注意する必要があります。
電極の形状の設計は、半導体デバイスの電気的特性、熱的特性などを考慮する必要があります。
電極の成形条件の設定は、電極の材料、電極の形状、半導体ウェーハの表面状態などによって異なります。
電極の評価は、電極の抵抗値、電極の接合抵抗、電極の強度などを確認する必要があります。

電極成形プロセス開発は、半導体製造プロセスの重要な工程の一つであり、半導体デバイスの性能を左右する重要な役割を果たしています。