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大手総合電機メーカーグループの半導体製造会社にて、CMOSイメージセンサー製造における、露光・現像工程のプロセスエンジニアを担当いただきます。

露光・現像プロセス開発は、半導体デバイスの回路パターンを形成するプロセスです。

露光プロセスでは、ウェーハに光を照射して、フォトレジスト膜にパターンを転写します。現像プロセスでは、光を当てていない部分のフォトレジスト膜を除去することで、半導体デバイスの回路パターンが完成します。

露光・現像プロセス開発では、以下の点について検討します。
・使用する光源
・露光レンズ
・フォトレジスト
・露光条件
・現像条件

露光・現像プロセス開発では、これらの点を最適化することで、半導体デバイスの回路パターンを精密に形成し、性能を向上させることができます。

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大手総合電機メーカーグループの半導体製造会社にて、CMOSイメージセンサー製造における、レジスト剥離・洗浄工程のプロセスエンジニアを担当いただきます。

レジスト剥離・洗浄プロセス開発とは、半導体ウェーハに形成されたレジストを除去し、ウェーハを洗浄するプロセスの開発です。

レジスト剥離プロセスでは、レジストを溶解したり、剥離したりする薬剤を使用してレジストを除去します。
洗浄プロセスでは、ウェーハに残ったレジストの残渣や不純物を除去します。

具体的には、
・レジスト剥離薬剤の選択
・レジスト剥離条件の設定
・洗浄液の選択
・洗浄条件の設定
・洗浄プロセスの評価などを行いウェーハを適切に洗浄

レジスト剥離・洗浄プロセス開発では、以下の点に注意して業務を遂行します。
・レジスト剥離・洗浄プロセスの選択は、半導体ウェーハに使用されているレジスト、ウェーハの表面状態、半導体デバイスの要求仕様などによって異なります。
・半導体ウェーハに損傷を与えないように注意して行う必要があります。
・ウェーハを適切に洗浄し、残渣や不純物が残らないように注意して行う必要があります。

仕事内容: 
大手総合電機メーカーグループの半導体製造会社にて、CMOSイメージセンサー製造における、ウェハエッチング工程のプロセスエンジニアを担当いただきます。

エッチング工程プロセス開発は、半導体ウェーハに必要なパターンを形成するために、エッチング装置を使用してウェーハの表面から材料を除去するプロセスの開発です。

エッチングプロセスには、ウェットエッチングとドライエッチングの2種類があります
ウェットエッチングは、化学薬品を使用してウェーハの表面から材料を除去するプロセスです。ドライエッチングは、プラズマを使用してウェーハの表面から材料を除去するプロセスです。

具体的には、下記業務を担当いただきます。
・エッチング装置の選択
・エッチングガスの選択
・エッチング条件の設定、エッチングプロセスの評価
・ウェーハの表面に必要なパターンを形成

使用するエッチング装置の構成要素は以下の通りです。
この構成はプラズマを使用して処理を行う半導体製造装置にほぼ共通しています。

・プロセスチャンバー：ウエハーを入れて実際にプロセスを行うチャンバーです。内部が真空になっています。
・真空システム：プロセスチャンバーから空気を抜き、真空にするための装置や配管です。真空ポンプや真空配管、弁などが含まれます。
・高周波電源：プロセスチャンバー内の反応ガスにエネルギーを与え、低温プラズマを発生させるために高周波の電波を使用します。高周波の周波数は反応ガスがエネルギーを吸収しやすい周波数に調整されています。
・ガス供給系：反応ガスを供給するボンベや配管です。
・機構部：真空チャンバー内にウエハーを投入するロボットなどです。
・制御系：安全監視システムや装置全体を制御するシステムです。

エッチング工程プロセス開発は、半導体製造プロセスの重要な工程の一つであり、半導体デバイスの性能を左右する重要な役割を果たしています。

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大手総合電機メーカーグループの半導体製造会社にて、ウエハ検査工程のプロセス開発を担当いただきます。

ウェハ検査プロセス開発とは、ウェハに形成されたICの異物やパターン欠陥を検出し、良品・不良品判定を行う工程です。

ロット単位やウエハ単位で測定され、測定データは一元管理され歩留りや信頼性に関するバックデータとして工程改善に利用します。
ウェハ検査プロセスには、ウェハの表面を光学的に検査する方法、ウェハの表面に電流を流して検査する方法、ウェハの表面に電子ビームを照射して検査する方法などがあります。

�@ウェハプローバ
回路にプローブと呼ばれる針状の電極を当て、電気特性を評価します。ウェハ検査と言えばこの方式を指すことが多いです。「ICチップ上の電極に極細のプローブを押し当て、電流を流すことで電気特性を評価し合否判定を行う方法」です。

�A光学式欠陥検査装置
ウェハにレーザー光を照射し、微小異物や欠陥からの散乱を検出し異物を検査します。

�BレビューSEM
SEM(走査型電子顕微鏡)を用い、ICチップの外観を検査します。光学式欠陥検査装置と併せて使用し、異物などの欠陥を拡大・観察するために使用されます。

膜厚測定：成膜した薄膜やエッチングした後の残膜が狙い通りの厚さになっているかを測定／膜厚測定器（エリプソメーター）
寸法測定：素子や配線が仕様通りの寸法になっているかを測定／測長SEM（走査電子顕微鏡）
異物・欠陥検出：パーティクルやパターン欠陥等を検出する／パターン付きウエハ検査装置
外観検査：キズや汚れ、異物の有無を検出する。機械での自動検査・人による検査の2パターン／自動外観検査装置・金属顕微鏡・実体顕微鏡
特性検査（PCM）：ICを構成している素子・回路を単体レベルに分離させた評価用素子を測定することで回路性能・製造プロセス評価に用いる、TEGとも呼ばれる／PCM用テスタ

ウェハ検査プロセス開発は、半導体製造プロセスの重要な工程の一つであり、半導体デバイスの品質を左右する重要な役割を果たしています。