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仕事内容: 
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大手総合電機メーカーグループの半導体製造会社にて、CMOSイメージセンサー製造における、露光・現像工程のプロセスエンジニアを担当いただきます。

露光・現像プロセス開発は、半導体デバイスの回路パターンを形成するプロセスです。

露光プロセスでは、ウェーハに光を照射して、フォトレジスト膜にパターンを転写します。現像プロセスでは、光を当てていない部分のフォトレジスト膜を除去することで、半導体デバイスの回路パターンが完成します。

露光・現像プロセス開発では、以下の点について検討します。
・使用する光源
・露光レンズ
・フォトレジスト
・露光条件
・現像条件

露光・現像プロセス開発では、これらの点を最適化することで、半導体デバイスの回路パターンを精密に形成し、性能を向上させることができます。

仕事内容: 
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大手総合電機メーカーグループの半導体製造会社にて、イオン注入工程のプロセスエンジニアを担当いただきます。

イオン注入とはイオン化した物質を固体に注入することによって、その固体の特性を変化させる加工方法です。

半導体製造における前工程などでは、イオン注入を用いることによって、ウェハに適度な不純物を導入することができ、半導体デバイス特性を向上させることができます。

概要として以下の業務をお任せします。
・イオン注入装置の選択
・イオン種の選択
・イオン注入量の設定
・イオン注入条件の設定
・イオン注入プロセスの評価などを行い、半導体ウェーハに必要な不純物を注入

イオン注入は以下の特徴があります。
・注入深さ制御可能：イオンの注入深さは、加速電圧を調整することで制御可能です。侵入深さは最大でも1μmと比較的浅い領域です。
・注入量が測定可能：ウェーハに流れ込むイオン電流を測定することで、イオンの注入量が定量可能です。
・高純度に注入可能：質量分離器により不要な元素・イオンを除去できるため、熱拡散法よりも高純度に注入可能です。
・位置精度が高い：イオンビームは直進性が高い為、狙った位置にイオンを注入できます。複雑で微細なデバイス構造の作成に有利です。
・回復熱処理が必要：イオン注入されると、注入された領域が非晶質化するため、必ず回復熱処理が必要です。

＜注入の流れ＞
�@イオン源
目的の不純物元素を発生させます。PH3(ホスフィン)やB2H6(ジボラン)といった原材料ガスが使用されます。
�A引出電極
発生したイオンを正の電界によって引き出します。電界を発生させるための電圧を「引き出し電圧」と呼びます。
�B質量分析器
磁場の作用で不要なイオンを除去します。不要なイオンとしては、目的の不純物以外の元素や、多価イオンなどがあります。
�C分析スリット
質量分析の分解能を向上させるためのスリットです。スリット幅が狭いほどイオンの選択精度が向上します。
�D加速管
電場をかけた管にイオンを通すことで、注入に必要な加速エネルギーをイオンに与えます。
�E偏向器
イオンの入射位置を精度よく制御するため、イオンビームを偏向します。
�FQレンズ
広がっているイオンビームを、磁界により絞るレンズです。
�G走査器
イオンビームの方向を操作する装置です。イオンビームは照射径が小さい為、ウェーハ全面に当てるには操作する必要があります。

イオン注入プロセス開発は、半導体製造プロセスの重要な工程の一つであり、半導体デバイスの性能を左右する重要な役割を果たしています。

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半導体ウエハプロセス開発業務

半導体製造会社にて、プロセス開発業務をお任せします。

【想定業務】

・ウエハプロセス中の製品不良や装置トラブルの原因究明と再発防止

・生産性向上(生産能力・コスト)に向けた改善

・新規製品(品種)に対応したプロセス立上げ、条件最適化活動

・新規装置の導入、立ち上げ、条件最適化業務　　等

今までのスキル・経験知識から、担当いただく業務は相談させていただきます。

仕事内容: 
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大手総合電機メーカーグループの半導体製造会社にて、ウエハ検査工程のプロセス開発を担当いただきます。

ウェハ検査プロセス開発とは、ウェハに形成されたICの異物やパターン欠陥を検出し、良品・不良品判定を行う工程です。

ロット単位やウエハ単位で測定され、測定データは一元管理され歩留りや信頼性に関するバックデータとして工程改善に利用します。
ウェハ検査プロセスには、ウェハの表面を光学的に検査する方法、ウェハの表面に電流を流して検査する方法、ウェハの表面に電子ビームを照射して検査する方法などがあります。

�@ウェハプローバ
回路にプローブと呼ばれる針状の電極を当て、電気特性を評価します。ウェハ検査と言えばこの方式を指すことが多いです。「ICチップ上の電極に極細のプローブを押し当て、電流を流すことで電気特性を評価し合否判定を行う方法」です。

�A光学式欠陥検査装置
ウェハにレーザー光を照射し、微小異物や欠陥からの散乱を検出し異物を検査します。

�BレビューSEM
SEM(走査型電子顕微鏡)を用い、ICチップの外観を検査します。光学式欠陥検査装置と併せて使用し、異物などの欠陥を拡大・観察するために使用されます。

膜厚測定：成膜した薄膜やエッチングした後の残膜が狙い通りの厚さになっているかを測定／膜厚測定器（エリプソメーター）
寸法測定：素子や配線が仕様通りの寸法になっているかを測定／測長SEM（走査電子顕微鏡）
異物・欠陥検出：パーティクルやパターン欠陥等を検出する／パターン付きウエハ検査装置
外観検査：キズや汚れ、異物の有無を検出する。機械での自動検査・人による検査の2パターン／自動外観検査装置・金属顕微鏡・実体顕微鏡
特性検査（PCM）：ICを構成している素子・回路を単体レベルに分離させた評価用素子を測定することで回路性能・製造プロセス評価に用いる、TEGとも呼ばれる／PCM用テスタ

ウェハ検査プロセス開発は、半導体製造プロセスの重要な工程の一つであり、半導体デバイスの品質を左右する重要な役割を果たしています。